注册 登录  
 加关注
   显示下一条  |  关闭
温馨提示!由于新浪微博认证机制调整,您的新浪微博帐号绑定已过期,请重新绑定!立即重新绑定新浪微博》  |  关闭

扫描电子显微镜

Scanning Electron Microscope

 
 
 
 
 

日志

 
 

扫描电镜应用之--分子束外延生长的砷化镓基氮化镓表面形貌  

2010-11-26 14:31:58|  分类: 默认分类 |  标签: |举报 |字号 订阅

  下载LOFTER 我的照片书  |

--驰奔  摘译 转载请注明

        射频等离子体氮源分子束外延生长被用来研究580摄氏度,砷化镓基氮化镓表面重构和表面形貌。当氮气流扫描电镜应用之--分子束外延生长的砷化镓基氮化镓表面形貌 - 驰奔 - 电镜代理事业部(DEMA)-博客和等离子激发能为恒量,生长层就会根据镓流量形成不同特征。在最初生长阶段,观察((3x3?)表面区域的构建。这个表面变化周期只持续到最大厚度为2.5ML,接下来是一个顽固的过渡表面。在氮和镓根据化学方程式配比的样品生长由扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)来表征。我们发现最光滑的表面是由N/Ga比例实现的最厚层在 (3x3)=>(1x1) 过渡区。在氮化镓/砷化镓界面的缺陷形成也与N/Ga流量比例有关。

1、介绍
       氮化镓被称作第三代半导体材料,是人工合成的,由于其在室温下3.39ev(电子伏特)能带隙,是最有前途的在蓝光范围内光学应用材料之一。氮化镓基合金的发光范围能够覆盖从近红外到紫外的整个可见光谱。

 

 

 

SEM image of a GaN layer grown at N-rich conditions. Trenches can be seen on the surface, however, the area in between is smooth. 在富氮条件下生长的氮化镓扫描电镜图像。表面可以看到沟槽,在沟槽之间的平面很光滑

 

 

扫描电镜应用之--分子束外延生长的砷化镓基氮化镓表面形貌 - 驰奔 - 电镜代理事业部(DEMA)-博客
 
 
 
 
 SEM image of a GaN layer grown at N-rich conditions. Both the layer surface and the GaAs substrate are shown, where part of the layer has been peeled off. 在富氮条件下生长的氮化镓扫描电镜图像。 氮化镓的一部分被剥落,同时显示砷化镓表面。
 
扫描电镜应用之--分子束外延生长的砷化镓基氮化镓表面形貌 - 驰奔 - 电镜代理事业部(DEMA)-博客

 

 

 

SEM image of a GaN sample grown at N-rich conditions. The surface of the GaAs substrate is shown, revealing polycrystalline structure with hollows, where the GaN layer has been peeled off.
    在富氮条件下生长的氮化镓扫描电镜图像。 在氮化镓层倍剥落砷化镓基体表面,显露带有孔洞的多晶结构,

扫描电镜应用之--分子束外延生长的砷化镓基氮化镓表面形貌 - 驰奔 - 电镜代理事业部(DEMA)-博客

 

 

 SEM image of a GaN layer grown at N-rich conditions. The smooth backside of the peeled-off GaN layer is shown, revealing homogeneously distributed and randomly shaped hexagonal crystallites, originating from the GaAs substrate.
富氮条件下生长的氮化镓扫描电镜图像。被剥落的氮化镓背面,显示来源于砷化镓同样的分布和随机形成的六角形晶体。

 

 

扫描电镜应用之--分子束外延生长的砷化镓基氮化镓表面形貌 - 驰奔 - 电镜代理事业部(DEMA)-博客

 

 

 

 

 

SEM image of a GaN layer grown under Ga-rich conditions. The excess Ga has formed droplets which are trapped in trenches.
富镓条件下生长的氮化镓扫描电镜图像。过量的镓形成的陷如在沟槽中水滴状,

扫描电镜应用之--分子束外延生长的砷化镓基氮化镓表面形貌 - 驰奔 - 电镜代理事业部(DEMA)-博客

 

 

 SEM image of a GaN layer grown under Ga-rich conditions. The removal of the Ga-droplets revealed nano-crystallites on the walls and edges of the trenches.
富镓条件下生长的氮化镓扫描电镜图像。移除镓滴,在沟槽壁和边缘显示纳米晶体。

 

 

 

扫描电镜应用之--分子束外延生长的砷化镓基氮化镓表面形貌 - 驰奔 - 电镜代理事业部(DEMA)-博客
 
SEM image of a GaN layer grown at near-stoichiometric conditions. The estimated surface roughness is 20 nm, as determined by the nano-crystalline grains.
在接近化学方程式的配比条件下生长的氮化镓扫描电镜图像。估算的表面粗糙度是20nm,像是纳米晶体颗粒决定的。
 
 

 
扫描电镜应用之--分子束外延生长的砷化镓基氮化镓表面形貌 - 驰奔 - 电镜代理事业部(DEMA)-博客
 
 
 
SEM image of a GaN layer grown at near-stoichiometric conditions. It illustrates the columnar structure of small grains in the layer cross-section, while the surface part of the GaAs substrate shows neither indication of hollows, nor presence of polycrystalline structure.
在接近化学方程式的配比条件下生长的氮化镓扫描电镜图像。在断层中图像说明纳米晶体颗粒的柱状结构,而砷化镓基体表面既没有显示孔洞,也没有多晶结构的存在。
扫描电镜应用之--分子束外延生长的砷化镓基氮化镓表面形貌 - 驰奔 - 电镜代理事业部(DEMA)-博客
 
 
 AFM image of a GaN layer grown at near-stoichiometric conditions. The characterised area of 1 ?m2 confirms the good surface roughness of 20 nm or better, as was estimated by high-resolution SEM.
在接近化学方程式的配比条件下生长的氮化镓原子力显微镜(AFM)图像。1平方微米的特征区域,证实良好的表面具有优于20nm的粗糙度,和SEM图像上估算的一样。 
 
摘自:Surface Morphology of MBE-grown GaN on GaAs(001) as Function of the N/Ga-ratio

     Authors: O. Zseb?k, J.V. Thordson, T.G. Andersson

  评论这张
 
阅读(1000)| 评论(0)
推荐

历史上的今天

评论

<#--最新日志,群博日志--> <#--推荐日志--> <#--引用记录--> <#--博主推荐--> <#--随机阅读--> <#--首页推荐--> <#--历史上的今天--> <#--被推荐日志--> <#--上一篇,下一篇--> <#-- 热度 --> <#-- 网易新闻广告 --> <#--右边模块结构--> <#--评论模块结构--> <#--引用模块结构--> <#--博主发起的投票-->
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

页脚

网易公司版权所有 ©1997-2017