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扫描电子显微镜

Scanning Electron Microscope

 
 
 
 
 

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低真空二次电子探测器特性原理  

2013-09-29 12:57:49|  分类: 默认分类 |  标签: |举报 |字号 订阅

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编辑:驰奔
       扫描电镜作为一个综合成像分析平台,具有很多附件可以选购,实现不同的成像和分析目的。每种附件价的价格动辄上万美金,因此对其性能和原理有些基本了解,是必要的,以便于根据需要选购。
       过去扫描电镜在低真空模式下,基本都用价格便宜的环形半导体固体背散射电子探测器,采集背散射电子信号,观察样品,由于图像形貌反差缺陷,后来发展了背散射信号(TOPO)拓扑模式,即按照空间顺序,将信号对称分割,分别采集,然后相对信号进行运算,模拟出比较真实的形貌图像,但图像增加了一些其他人工假象,与实际样品形貌依然有差距。在这种情况下,低真二次电子探测器有机会发展。

        随着低真空扫描电镜的发展,早已经研制出了在增加的压力下可以选择的二次电子探测器。由于传统E-T型二次电子探测器,为提高二次电子信号转化率需要使用高压,没法在低真空下运行,为了在低真空环境下获得真实表面形貌像,低真空二次电子探测器是必要的。
       
        JEOL最近推出低真空二次电子探测器[LVSED],相对他们的背散射电子探测器,可在高的扫描速度下提供增强的性能,取得更高的信号收集效率。编辑: 酷塞目[北京] 驰奔编辑: 酷塞目[北京] 驰奔
         为什么选择低真空二次电子探测器成像,而不是背散射电子BSE? 考虑到电子束样品作用区,二次电子相对背散射电子,在提供精细表面形貌细节的同时,还能够给出更高的空间分辨率。尤其低原子序数材料,相对用BSE成像,作用区差距更大,更明显。
低真空二次电子探测器特性原理 - COXEM北京办公室 - --酷塞目[中国]销售及服务中心--
            半导体固体背散射电子图像  【  药片的药物和表面涂层界面】  低真空二次电子图像        
而且,当用于包含高原子序数和低原子序数的不均匀材料时,用Bse成像,成分反差占主导地位。为了观察精细的形貌,LVSED成像可以补充BSE图像的缺陷。
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           BSE 图像                     [在硅片上的金丝焊脚]                           SE 图像

低真空二次电子探测器特性原理 - COXEM北京办公室 - --酷塞目[中国]销售及服务中心--



低真空二次电子探测器 (LVSED)是基于气体的放大探测器。  从样品作用区发射的二次电子,在探测器电场作用下,向LVSED加速,在这个过程中,二次电子和样品室中的气体作用,产生更多电子,由此放大了SE信号,信号量越大,图像信噪比越高。
 








LVSED在含水或油样品中的应用,观察精细表面形貌。
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 砂岩上的原油(一般配合帕尔贴效应冷冻台,在较低的温度下进行观察),左边背散射电子图像,右边LVSED图像
低真空二次电子探测器特性原理 - COXEM北京办公室 - --酷塞目[中国]销售及服务中心--
 (液氮制冷样品台)LVSED图像,左- 蔬菜根   右-海藻

文章图像来自互联网上的JEOL公开资料
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<#--最新日志,群博日志--> <#--推荐日志--> <#--引用记录--> <#--博主推荐--> <#--随机阅读--> <#--首页推荐--> <#--历史上的今天--> <#--被推荐日志--> <#--上一篇,下一篇--> <#-- 热度 --> <#-- 网易新闻广告 --> <#--右边模块结构--> <#--评论模块结构--> <#--引用模块结构--> <#--博主发起的投票-->
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

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